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李文德 教授

李文德 教授

個人學歷:交通大學電子研究所博士

: leewd@mail.lit.edu.tw

研究室: 電資大樓D407-18

 

 

 
經歷  
 
研究專長  
高溫超導線材製作轉換
光子晶體結構設計
奈米碳管製作  

 


年度

教師
姓名

論文名稱

作者
順序

通訊
作者

研討會名稱

舉行之國家

95 李文德 回收手機應用之智慧型大門防盜鎖 第三
作者
Proceedings of 2006 MIICS Mechatronic and Industry Cross Strait Coference NATTWN-中華民國
95 李文德 Optical Polarization Beam Splitter in Two-Dimensional Photonic Crystals 第三
作者
2006 International Symposium on Nano Science and Technology NATTWN-中華民國
95 李文德 Polarization Splitter for Two-Dimensional Photonic Crystal Self-Collimated Beams 第三
作者
2006 International Symposium on Nano Science and Technology NATTWN-中華民國
95 李文德 奈米碳管CNT之製程研究 第一作者 奈米材料研究與應用研討會會議 NATTWN-中華民國
97 李文德 光學塑膠基材之水、氧氣穿透率測量技術 第一作者 中華民國材料年會 NATTWN-中華民國
97 李文德 相變化材料GST的次微米薄膜相變化研究 第一作者 奈米材料研究與應用研討會 NATTWN-中華民國
99 李文德 以高週波感應加熱方式合成大面積石墨層 第一作者 2010科技創意與人才培育學術研討會 NATTWN-中華民國
99 李文德 雙側壁封裝電子元件之開發技術 第一作者 2010科技創意與人才培育學術研討會 NATTWN-中華民國
99 李文德 電極結構對DLC太陽能電池之影響及特性分析 第四(以上)作者 中國材料科學學會99年材料年會 NATTWN-中華民國
99 李文德 GeSbTe硫屬化合物之微結構對太陽能電池的效率研究 第四(以上)作者 中國材料科學學會99年材料年會 NATTWN-中華民國
100 李文德 Drop Test for Sn96.7-Ag3.7 Polymer Core Solder Ball in BGA Package 第三
作者
The 6th IMPACT Conference (IMPACT 2011) NATTWN-中華民國
100 李文德 IMC Integrity for Sn96.7-Ag3.7 Polymer Core Solder Ball in BGA Package 第三
作者
The 6th IMPACT Conference (IMPACT 2011) NATTWN-中華民國
100 李文德 Reflow Influence for Sn96.7-Ag3.7 Polymer Core Solder Ball in BGA Package 第三
作者
The 6th IMPACT Conference (IMPACT 2011) NATTWN-中華民國
100 李文德 Nickel Solder Ball Performance for Pb-free LFBGA Assembly Under Oxygenous Reflow 第三
作者
The 6th IMPACT Conference (IMPACT 2011) NATTWN-中華民國
100 李文德 Solder Stability for Pb-free HBGA Assembly with Oxygenous Reflow 第三
作者
The 6th IMPACT Conference (IMPACT 2011) NATTWN-中華民國
100 李文德 Oxygenous Reflow Affecting Performance of Pb-free TFBGA Assembly 第三
作者
The 6th IMPACT Conference (IMPACT 2011) NATTWN-中華民國
101 李文德 GeSbTe薄膜之特性與太陽能電池效率研究 第二作者 中國材料科學學會101年材料年會 NATTWN-中華民國
101 李文德 保險業精算作業資訊化流程管理之研究-以某壽險公司為例 第二作者 2012全國商管學術暨實務研討會(2012 National Conference on Business and Management) NATTWN-中華民國
102 李文德 CLM Effect for 28nm Stacked HK/MG NMOSFETs after DPN Process with Different Nitrogen Concentration 第四(以上)作者 2013 國際電子元件與材料研討會 NATTWN-中華民國
102 李文德 Performance of Deep-nano Gate-last HK/MG nMOSFETs using DPN or PDA Process with Annealing Temperatures under Temperature Stress 第三
作者
THE 8TH ASIA-PACIFIC INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE BASICS AND APPLICATIONS OF PLASMA TECHNOLOGY (APSPT-8) NATTWN-中華民國
102 李文德 Kink Effect for 28nm HK/MG nMOSFETs after DPN Treatment with Different Annealing Temperatures 第一作者 2013 IEDMS國際電子元件與材料研討會 NATTWN-中華民國
102 李文德 Gate Leakage for 28nm HfZrOx Gate Dielectric of PMOSFETs after Decoupled Plasma Nitridation Process with Annealing Temperatures 第四(以上)作者 The 8th Asia-Pacific International Symposium on the Basics and Applications of Plasma Technology (APSPT-8) NATTWN-中華民國
103 李文德 Electrical Performance of n-channel FinFETs with Thresh-old-voltage Doping Energies under Heating Stress 第四(以上)作者 International Electron Devices And Materials Symposium 2014(IEDMS 2014) NATTWN-中華民國
103 李文德 Photo Matrix Technology Overcoming the Constraint of Nano-node FinFETs 第四(以上)作者 nternational Electron Devices And Materials Symposium 2014(IEDMS 2014) NATTWN-中華民國
103 李文德 Temperature Stress Probing Performance of p-channel FinFETs under Different VT Implanting Energies 第四(以上)作者 International Electron Devices And Materials Symposium 2014 (IEDMS 2014) NATTWN-中華民國
103 李文德 Early Effect for 28nm HK/MG PMOSFETs after Post Deposition Annealing Treatment 第一作者 The 2nd International conference on Advanced Composite Materials and Manufacturing Engineering.(CMME 2014) NATCHN-大陸地區
103 李文德 Electrical Quality of 28nm HK/MG MOSFETs with PDA and DPN Treatment 第一作者 The 3rd International Symposium on Next-Generation Electronics (ISNE 2014) NATTWN-中華民國
103 李文德 CLM Effect for 28nm Stacked HK NMOSFETs after DPN Treatment with Different Annealing Temperatures 第三
作者
The 3rd International Symposium on Next-Generation Electronics (ISNE 2014) NATTWN-中華民國
103 李文德 GIDL and Gated-Diode Metrologies for 28nm HK/MG nMOSFETs in Nitridation Annealing Temperatures 第三
作者
The 3rd International Symposium on Next-Generation Electronics (ISNE 2014) NATTWN-中華民國
103 李文德 Early Effect Exposing Performance of 28nm HK/MG pMOSFETs under PDA or DPN Nitridation Treatment 第一作者 2014 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (10th EDSSC 2014) NATCHN-大陸地區
103 李文德 Self-Aligned Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistor Using A Two-Mask Process Without Etching-Stop Layer 第四(以上)作者 21st International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD 2014) NATJPN-日本
103 李文德 Comparison of Gate Leakage for SiONx and HfZrOx Gate Dielectrics of MOSFETs with Decoupled Plasma Nitridation Process 第一作者 The 3rd International Symposium on Next-Generation Electronics (ISNE 2014) NATTWN-中華民國
103 李文德 Threshold Voltage Adjustment for 28nm HfOx/ZrOx/HfOx Gate Dielectric of nMOSFET using DPN Process with Annealing Temperatures 第一作者 The 2nd International conference on Advanced Composite Materials and Manufacturing Engineering.(CMME2014) NATCHN-大陸地區
104 李文德 Simulation to Expose and Control the RSCE Effect for 28nm HK/MG nMOSFETs 第四(以上)作者 International Electron Devices And Materials Symposium 2015 (IEDMS 2015) NATTWN-中華民國
104 李文德 Recovery of Hot-carrier Induced Degradation in HK/MG PMOSFETs Treated by Different Nitridation Conditions 第三
作者
International Electron Devices And Materials Symposium 2015 (IEDMS 2015) NATTWN-中華民國
104 李文德 GCIP Characteristics of High-k Stack NMOSFETs 第四(以上)作者 International Electron Devices And Materials Symposium 2015 (IEDMS 2015) NATTWN-中華民國
104 李文德 The GCIP effect with High Drain-Bias Stress in 28 nm HK/MG nMOSFETs 第四(以上)作者 International Electron Devices And Materials Symposium 2015 (IEDMS 2015) NATTWN-中華民國
104 李文德 Multiple Sweeping Drain-Bias Stress in 28 nm HK/MG nMOSFETs 第四(以上)作者 International Electron Devices And Materials Symposium 2015 (IEDMS 2015) NATTWN-中華民國
105 李文德 A New Model Explaining the Saturation Current of Nano-MOSFETs 第三
作者
International Electron Devices And Materials Symposium 2016 (IEDMS 2016) NATTWN-中華民國
105 李文德 Feasible Programming Methods for 28nm-node nMOSFETs” 第四(以上)作者 International Electron Devices And Materials Symposium 2016 (IEDMS 2016) NATTWN-中華民國
105 李文德 The Program Mechanism with CHEI/DAHC on Nano HK/MG CMOS Logic Process 第四(以上)作者 International Electron Devices And Materials Symposium 2016 (IEDMS 2016) NATTWN-中華民國
105 李文德 Substrate Current Characteristics for 28 nm HK/MG NMOSFETs under HC Stresses 第四(以上)作者 International Electron Devices And Materials Symposium 2016 (IEDMS 2016) NATTWN-中華民國
105 李文德 以精密酵素噴覆技術製作血糖試片的研究 第三
作者
萬能科技大學2016 航空暨工程科技應用學術論文發表研討會 NATTWN-中華民國
105 李文德 Hot-Carrier Induced Degradation and Its Recovery in HK/MG NMOSFETs 第三
作者
International Electron Devices And Materials Symposium 2016 (IEDMS 2016) NATTWN-中華民國